相變存儲器（PCM）是一種利用鍺銻碲（GST）合金材料在非晶態與晶態之間發生快速、可逆相變的特性來存儲數據的非易失性存儲器，具有高速度、低功耗和高存儲密度等優點，在汽車電子、人工智能計算、工業控制等嵌入式領域發揮著重要作用。

GST材料退火的兩大核心應用

在GST材料的研發與器件制造過程中，退火是一項關鍵且必須的工藝環節，其主要應用體現在以下兩個方面：

材料晶化與性能調控

在器件制備初期，需通過退火工藝實現均勻、可控的晶體化，將其從高電阻轉為低電阻（即非晶態→晶態），以獲得特定的電學或光學性能；

相變行為與器件性能研究

通過在不同溫度與時間條件下對GST樣品進行退火實驗，可觀測其電阻與結構變化，為器件優化提供關鍵數據支撐。

*GST材料，圖源網絡，侵刪

GST與傳統半導體材料退火的區別

與傳統半導體材料（如硅）通過退火修復晶格損傷不同，GST（鍺銻碲）材料的退火并非單純的缺陷修復過程。

*GST材料與傳統半導體材料退火的區別

GST材料退火的核心在于精確控制其相變狀態，因此對于退火的溫度、時間、氣氛等提出了嚴格的要求：

1、精確的溫度控制
退火溫度須高于GST結晶溫度，且低于其熔點溫度（約600°C），溫度過低，結晶無法發生或速度過慢；溫度過高則可能導致器件功能破壞或材料分解。

2、嚴謹的時間窗口
退火時間需確保材料完成充分的晶核形成與晶粒生長，同時防止時間過長導致的晶粒過度生長或不必要的相分離。

3、惰性氛圍保護
退火通常在氮氣或氬氣等惰性環境中進行，以避免GST材料（特別是碲）在高溫下被氧化。

根據以上GST半導體材料的特性，晟鼎RTP快速退火爐提供了可靠的解決方案：

1、精準的溫度控制：
溫度制程范圍覆蓋200-1250℃，采用PID 控溫，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現性與溫度均勻性，符合GST材料對于退火溫度要求。

2、升溫速率快：
可達150℃/s，工藝時間短，可避免GST材料結晶過度或相分離。

3、工藝靈活：
標配2組工藝氣體，可根據不同材料需求調節氣體，滿足GST材料對于惰性氣氛的要求。